工作经历
· 2024.6- 至今
天津大学 → 英才教授
· 2012.4 - 2024.6
固态微波器件与电路全国重点实验室 → 中国电子科技集团公司第十三研究所 → 所级专家 → 研究员
社会兼职
-
· 2024.9 - 2029.9
天津市电子学会专家委员会委员
-
· Solid State Electronics， Power Electronic Device，太赫兹科学与电子信息学报等期刊审稿人
个人简介
梁士雄，博士，英才教授，长期从事化合物半导体太赫兹固态器件的研究。面向太赫兹测试仪器、无线通信及成像等应用领域，开展了高速大功率化合物芯片与模组关键技术研究，突破化合物半导体器件工作频率，调制速率和输出功率提升所面临的瓶颈问题。开辟了大功率太赫兹固态源和高速太赫兹调制技术新方法，研制的太赫兹芯片已应用于国产太赫兹矢网等测试仪器和通信系统。作为项目负责人主持微电子预研、创新特区、重点研发计划子课题等项目10余项，经费总计超2000万元。作为第一作者或通讯作者发表包括Nature Photonics在内的SCI学术论文20余篇，授权发明专利30余项。相关成果获省部级科技一等奖2项，二等奖3项，中国专利优秀奖1项。
学术成果
论文成果
-
[3]Homoepitaxial GaN terahertz planar Schottky barrier diodes
-
[4]High-Speed Modulations of Guided Terahertz Waves via 2DEG Tiny Metasurfaces
-
[5]A Review of Terahertz Sources Based on Planar Schottky Diodes
-
[6]GaN-Based Frequency Doubler With Pulsed Output Power Over 1 W at 216 GHz
-
[8]A Novel 220-GHz GaN Diode On-Chip Tripler With High Driven Power
-
[9]High-Power 300 GHz Solid-State Source Chain Based on GaN Doublers
-
[10]A 177-183 GHz High-Power GaN-Based Frequency Doubler With Over 200 mW Output Power
-
[11]High-Efficiency GaN Frequency Doubler Based on Thermal Resistance Analysis for Continuous Wave Input
著作成果
-
[1]氮化镓半导体太赫兹器件
-
[2]太赫兹固态电子器件与电路
专利成果
奖励与荣誉
2. 河北省科学技术一等奖
4. 军队科技技术进步二等奖
5. 河北省技术发明二等奖