李磊，天津大学微电子学院英才副教授。博士毕业于北京大学物理学院宽禁带半导体中心，随后赴日本名古屋工业大学Si基GaN先驱江川孝志教授领导的研究组，GaN器件可靠性领域专家分岛彰男教授研究组和名古屋大学诺贝尔物理学奖得主天野浩教授研究组继续从事科研工作。入选天津大学"北洋学者英才计划"。

李磊博士长期从事氮化物宽禁带半导体材料和器件的研究工作，在超高质量氮化镓外延膜，氮化镓基电子器件及其可靠性，氮化镓基短波长光电器件等领域取得了一系列突出的成果。部分成果被国际著名行业杂志Compound Semiconductor杂志做专题报道或被期刊选为年度研究亮点论文，并受邀撰写综述文章。李磊博士发表SCI文章多篇，其中第一/通讯作者论文绝大部分发表在本领域权威期刊Applied Physics Letters, Applied Physics Express和IEEE Transactions on Electron Devices上。有2项发明专利实现转化。