天津大学教师个人主页系统梁士雄 Zhang B, Ji D, Fang D, et al. A novel 220-GHz GaN diode on-chip tripler with high driven power[J]. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(5): 780-783,95Citations(IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,中科院二区（引用次数：107次) 中文主页

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梁士雄

教师拼音名称：Liang Shixiong
出生日期：1981-01-11
性别：男
职称：教授
所属院系：微电子学院

论文成果

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Zhang B, Ji D, Fang D, et al. A novel 220-GHz GaN diode on-chip tripler with high driven power[J]. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(5): 780-783,95Citations(IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,中科院二区（引用次数：107次)

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发表刊物:IEEE Electron Devlce Letters
合写作者:Bo Zhang , Senior Member, IEEE, Dongfeng Ji , Deng Fang, Shixiong Liang, Yong Fan, Member, IEEE, and Xiaodong Chen , Fellow, IEEE
第一作者:Bo Zhang
论文类型:Development research
通讯作者:Shixiong Liang
是否译文:否
CN号:null

附件:

1. A Novel 220-GHz GaN Diode On-Chip Tripler.pdf

上一条:Zhao Y, Zhang Y, Shi Q, et al. Dynamic photoinduced controlling of the large phase shift of terahertz waves via vanadium dioxide coupling nanostructures[J]. Acs Photonics, 2018, 5(8): 3040-3050,(ACS PHOTONICS,中科院一区,（引用次数：148次)

下一条:Zhang L, Liang S, Lv Y, et al. High-power 300 GHz solid-state source chain based on GaN doublers[J]. IEEE Electron Device Letters, 2021, 42(11): 1588-1591.(IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,中科院二区)