刘新军
- 教师名称：刘新军
- 教师拼音名称：Liu Xinjun
- 出生日期：1980-10-04
- 性别：男
- 学科：Materials Physics and Chemistry
- 职称：副教授
其他联系方式
- 邮编：
- 通讯/办公地址：
- 移动电话：
- 邮箱：
- 邮编：
- 通讯/办公地址：
- 移动电话：
- 邮箱：
Resistance change memory device having threshold switching and memory switching characteristics, method of fabricating the same, and resistance change memory device including the same
点击次数:
申请专利人：H. Hwang, S. Kim, X. Liu
专利说明:US 9269901 B2, Publication date on Feb. 23, 2016.
专利类型:PCT or foreign applications
专利状态:Authorized patents
是否职务专利:否
上一篇：Resistive RAM, method for fabricating the same, and method for driving the same