李磊，天津大学微电子学院英才副教授。博士毕业于北京大学物理学院宽禁带半导体中心，随后赴日本名古屋工业大学Si基GaN先驱江川孝志教授领导的研究组，GaN器件可靠性领域专家分岛彰男教授研究组和诺贝尔物理学奖得主、名古屋大学天野浩教授研究组继续从事科研工作。入选天津大学"北洋学者英才计划"。

李磊博士长期从事氮化物宽禁带半导体材料和器件的研究工作，在超高质量GaN外延膜，GaN基电子器件及其可靠性，GaN基短波长光电器件等领域取得了一系列创新性的成果。部分成果被国际著名行业杂志Compound Semiconductor杂志做专题报道或被期刊选为年度研究亮点论文，并受邀撰写综述文章。李磊博士发表SCI文章多篇，包含本领域权威期刊IEEE Electron Device Letters, Applied Physics Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Applied Physics Express等。申请发明专利多项，其中有2项实现转化。

 欢迎具有电子科学与技术、物理、光学和集成电路等专业背景的同学，以及对宽禁带半导体领域感兴趣的同学推免报考本人的研究生，同时欢迎对本人研究方向感兴趣的本科生参与本人相关课题的学习与研究。