刘新军
- 教师名称：刘新军
- 教师拼音名称：Liu Xinjun
- 出生日期：1980-10-04
- 性别：男
- 学科：Materials Physics and Chemistry
- 职称：副教授
其他联系方式
- 邮编：
- 通讯/办公地址：
- 移动电话：
- 邮箱：
- 邮编：
- 通讯/办公地址：
- 移动电话：
- 邮箱：
Adjusting and controlling methods of multiform resistance switching effects in multi-layer film structure for resistance random access memory
点击次数:
申请专利人：X. Li, R. Yang, W. Yu, X. Liu, X. Cao, Q. Wan
备注:China patent CN101533669, Granted on Jan. 02, 2013 (No. 200910048823.0)
专利类型:Invent
专利状态:Authorized patents
是否职务专利:否
上一篇：Homogeneous structure transparent RRAM components of zinc oxide-based and preparation technique 下一篇：Resistive RAM, method for fabricating the same, and method for driving the same